SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | Вішай |
| Категорія продукту: | MOSFET |
| Технологія: | Si |
| Стиль монтажу: | SMD/SMT |
| Пакет / футляр: | СОТ-23-3 |
| Полярність транзистора: | P-канал |
| Кількість каналів: | 1 канал |
| Vds - напруга пробою стіку-витоку: | 8 В |
| Id - постійний струм витоку: | 5,8 А |
| Rds On - Опір витік-витік: | 35 мОм |
| Vgs - напруга затвор-джерело: | - 8 В, + 8 В |
| Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід: | 1 В |
| Qg - Заряд воріт: | 12 нКл |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 С |
| Максимальна робоча температура: | + 150 С |
| Pd - Розсіювання потужності: | 1,7 Вт |
| Режим каналу: | Покращення |
| Торгова назва: | TrenchFET |
| Упаковка: | Котушка |
| Упаковка: | Відрізати стрічку |
| Упаковка: | MouseReel |
| Бренд: | Vishay Semiconductors |
| Конфігурація: | неодружений |
| Осінній час: | 10 нс |
| Висота: | 1,45 мм |
| Довжина: | 2,9 мм |
| Тип продукту: | MOSFET |
| Час наростання: | 20 нс |
| Серія: | SI2 |
| Заводська упаковка Кількість: | 3000 |
| Підкатегорія: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 P-канал |
| Типовий час затримки вимкнення: | 40 нс |
| Типовий час затримки ввімкнення: | 20 нс |
| Ширина: | 1,6 мм |
| Частина № Псевдоніми: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Вага одиниці: | 0,000282 унції |
• Без галогенів Відповідно до визначення IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg перевірено
• Відповідає Директиві RoHS 2002/95/EC
• Перемикач навантаження для портативних пристроїв
• DC/DC перетворювач
