SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | Вішай |
| Категорія продукту: | MOSFET |
| RoHS: | Подробиці |
| Технологія: | Si |
| Стиль монтажу: | SMD/SMT |
| Пакет/чохол: | SC-89-6 |
| Полярність транзистора: | N-канал, P-канал |
| Кількість каналів: | 2 канал |
| Vds - напруга пробою стіку-витоку: | 60 В |
| Id - постійний струм витоку: | 500 мА |
| Rds On - Опір витік-витік: | 1,4 Ом, 4 Ом |
| Vgs - напруга затвор-джерело: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід: | 1 В |
| Qg - Заряд воріт: | 750 пКл, 1,7 нКл |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 С |
| Максимальна робоча температура: | + 150 С |
| Pd - Розсіювання потужності: | 280 мВт |
| Режим каналу: | Покращення |
| Торгова назва: | TrenchFET |
| Упаковка: | Котушка |
| Упаковка: | Відрізати стрічку |
| Упаковка: | MouseReel |
| Бренд: | Vishay Semiconductors |
| Конфігурація: | Подвійний |
| Пряма провідність - Мін.: | 200 мс, 100 мс |
| Висота: | 0,6 мм |
| Довжина: | 1,66 мм |
| Тип продукту: | MOSFET |
| Серія: | SI1 |
| Заводська упаковка Кількість: | 3000 |
| Підкатегорія: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-канал, 1 P-канал |
| Типовий час затримки вимкнення: | 20 нс, 35 нс |
| Типовий час затримки ввімкнення: | 15 нс, 20 нс |
| Ширина: | 1,2 мм |
| Частина № Псевдоніми: | SI1029X-GE3 |
| Вага одиниці: | 32 мг |
• Без галогенів Відповідно до визначення IEC 61249-2-21
• Силові МОП-транзистори TrenchFET®
• Дуже малий розмір
• Перемикання високої сторони
• Низький опір увімкнення:
N-канал, 1,40 Ом
Р-канал, 4 Ом
• Низький поріг: ± 2 В (тип.)
• Швидка швидкість перемикання: 15 нс (тип.)
• Захист затвора-витоку від електростатичного розряду: 2000 В
• Відповідає Директиві RoHS 2002/95/EC
• Замініть цифровий транзистор, регулятор рівня
• Системи, що працюють від батарейок
• Схеми перетворювача живлення
