FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | онсемі |
| Категорія продукту: | MOSFET |
| Технологія: | Si |
| Стиль монтажу: | Крізь отвір |
| Пакет / футляр: | ТО-251-3 |
| Полярність транзистора: | N-канал |
| Кількість каналів: | 1 канал |
| Vds - напруга пробою стіку-витоку: | 600 В |
| Id - постійний струм витоку: | 1,9 А |
| Rds On - Опір витік-витік: | 4,7 Ом |
| Vgs - напруга затвор-джерело: | - 30 В, + 30 В |
| Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід: | 2 В |
| Qg - Заряд воріт: | 12 нКл |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 С |
| Максимальна робоча температура: | + 150 С |
| Pd - Розсіювання потужності: | 2,5 Вт |
| Режим каналу: | Покращення |
| Упаковка: | трубка |
| Бренд: | онсемі / Ферчайлд |
| Конфігурація: | неодружений |
| Осінній час: | 28 нс |
| Пряма провідність - Мін.: | 5 S |
| Висота: | 6,3 мм |
| Довжина: | 6,8 мм |
| Тип продукту: | MOSFET |
| Час наростання: | 25 нс |
| Серія: | FQU2N60C |
| Заводська упаковка Кількість: | 5040 |
| Підкатегорія: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-канал |
| тип: | MOSFET |
| Типовий час затримки вимкнення: | 24 нс |
| Типовий час затримки ввімкнення: | 9 нс |
| Ширина: | 2,5 мм |
| Вага одиниці: | 0,011993 унції |
♠ MOSFET – N-канальний, QFET 600 В, 1,9 A, 4,7
Цей потужний МОП-транзистор N−Channel удосконаленого режиму створений з використанням власної планарної смуги Onsemi та технології DMOS.Ця передова технологія MOSFET була спеціально розроблена для зменшення опору у відкритому стані та забезпечення чудової продуктивності перемикання та високої потужності лавинної енергії.Ці пристрої підходять для імпульсних джерел живлення, активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) і електронних баластів ламп.
• 1,9 A, 600 В, RDS (увімкнено) = 4,7 (макс.) при VGS = 10 В, ID = 0,95 A
• Низький заряд затвора (тип. 8,5 нКл)
• Низький Crss (тип. 4,3 пФ)
• 100% лавинний тест
• Ці пристрої не містять галоїдів і відповідають RoHS
