FDMC6679AZ MOSFET -30V P-Channel Power Trench
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | онсемі |
| Категорія продукту: | MOSFET |
| RoHS: | Подробиці |
| Технологія: | Si |
| Стиль монтажу: | SMD/SMT |
| Пакет / футляр: | Сила-33-8 |
| Полярність транзистора: | P-канал |
| Кількість каналів: | 1 канал |
| Vds - напруга пробою стіку-витоку: | 30 В |
| Id - постійний струм витоку: | 20 А |
| Rds On - Опір витік-витік: | 10 мОм |
| Vgs - напруга затвор-джерело: | - 25 В, + 25 В |
| Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід: | 1,8 В |
| Qg - Заряд воріт: | 37 нКл |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 С |
| Максимальна робоча температура: | + 150 С |
| Pd - Розсіювання потужності: | 41 Вт |
| Режим каналу: | Покращення |
| Торгова назва: | PowerTrench |
| Упаковка: | Котушка |
| Упаковка: | Відрізати стрічку |
| Упаковка: | MouseReel |
| Бренд: | онсемі / Ферчайлд |
| Конфігурація: | неодружений |
| Пряма провідність - Мін.: | 46 с |
| Висота: | 0,8 мм |
| Довжина: | 3,3 мм |
| Тип продукту: | MOSFET |
| Серія: | FDMC6679AZ |
| Заводська упаковка Кількість: | 3000 |
| Підкатегорія: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 P-канал |
| Ширина: | 3,3 мм |
| Вага одиниці: | 0,005832 унції |
♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 В, -20 A, 10 мОм
FDMC6679AZ був розроблений для мінімізації втрат у програмах перемикання навантаження.Удосконалення кремнієвих і корпусних технологій були об’єднані, щоб забезпечити найнижчий захист від rDS(on) і ESD.
• Макс. rDS(on) = 10 мОм при VGS = -10 В, ID = -11,5 A
• Макс. rDS(on) = 18 мОм при VGS = -4,5 В, ID = -8,5 A
• Типовий рівень захисту від електростатичного розряду HBM 8 кВ (примітка 3)
• Розширений діапазон VGSS (-25 В) для батарей
• Високопродуктивна траншейна технологія для надзвичайно низького rDS(on)
• Висока потужність і можливість обробки струму
• Закінчення не містить свинцю та відповідає RoHS
• Перемикач навантаження в ноутбуку та сервері
• Керування живленням батареї ноутбука
