CSD88537ND MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | Texas Instruments |
| Категорія продукту: | MOSFET |
| RoHS: | Подробиці |
| Технологія: | Si |
| Стиль монтажу: | SMD/SMT |
| Пакет/чохол: | SOIC-8 |
| Полярність транзистора: | N-канал |
| Кількість каналів: | 2 канал |
| Vds - напруга пробою стіку-витоку: | 60 В |
| Id - постійний струм витоку: | 16 А |
| Rds On - Опір витік-витік: | 15 мОм |
| Vgs - напруга затвор-джерело: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід: | 2,6 В |
| Qg - Заряд воріт: | 14 нКл |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 С |
| Максимальна робоча температура: | + 150 С |
| Pd - Розсіювання потужності: | 2,1 Вт |
| Режим каналу: | Покращення |
| Торгова назва: | NexFET |
| Упаковка: | Котушка |
| Упаковка: | Відрізати стрічку |
| Упаковка: | MouseReel |
| Бренд: | Texas Instruments |
| Конфігурація: | Подвійний |
| Осінній час: | 19 нс |
| Висота: | 1,75 мм |
| Довжина: | 4,9 мм |
| Тип продукту: | MOSFET |
| Час наростання: | 15 нс |
| Серія: | CSD88537ND |
| Заводська упаковка Кількість: | 2500 |
| Підкатегорія: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 2 N-каналу |
| Типовий час затримки вимкнення: | 5 нс |
| Типовий час затримки ввімкнення: | 6 нс |
| Ширина: | 3,9 мм |
| Вага одиниці: | 74 мг |
♠ CSD88537ND Подвійний 60-В N-канальний NexFET™ Power MOSFET
Цей подвійний силовий МОП-транзистор NexFET™ SO-8, 60 В, 12,5 мОм призначений для роботи в якості половини мосту в системах керування двигуном із слабким струмом.
• Наднизький Qg і Qgd
• Лавинний рейтинг
• Без Pb
• Відповідає RoHS
• Без галогенів
• Напівміст для керування двигуном
• Синхронний понижуючий перетворювач
