MOSFET STD4NK100Z Автомобільний N-канальний транзистор 1000 В, 5,6 Ом тип. 2,2 A SuperMESH Power MOSFET
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | STMicroelectronics |
| Категорія продукту: | MOSFET |
| RoHS: | Подробиці |
| Технологія: | Si |
| Стиль монтажу: | SMD/SMT |
| Пакет / футляр: | ТО-252-3 |
| Полярність транзистора: | N-канал |
| Кількість каналів: | 1 канал |
| Vds - напруга пробою стіку-витоку: | 1 кВ |
| Id - постійний струм витоку: | 2.2 А |
| Rds On - Опір витік-витік: | 6,8 Ом |
| Vgs - напруга затвор-джерело: | - 30 В, + 30 В |
| Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід: | 4,5 В |
| Qg - Заряд воріт: | 18 нКл |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 С |
| Максимальна робоча температура: | + 150 С |
| Pd - Розсіювання потужності: | 90 Вт |
| Режим каналу: | Покращення |
| Кваліфікація: | AEC-Q101 |
| Торгова назва: | СуперМЕШ |
| Серія: | STD4NK100Z |
| Упаковка: | Котушка |
| Упаковка: | Відрізати стрічку |
| Упаковка: | MouseReel |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Конфігурація: | неодружений |
| Осінній час: | 39 нс |
| Висота: | 2,4 мм |
| Довжина: | 10,1 мм |
| продукт: | Потужність MOSFET |
| Тип продукту: | MOSFET |
| Час наростання: | 7,5 нс |
| Заводська упаковка Кількість: | 2500 |
| Підкатегорія: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-канал |
| тип: | СуперМЕШ |
| Типовий час затримки ввімкнення: | 15 нс |
| Ширина: | 6,6 мм |
| Вага одиниці: | 0,011640 унцій |
♠ Автомобільний N-канал 1000 В, 5,6 Ом (тип.), 2,2 A SuperMESH™ Power MOSFET із захистом стабілітрона в DPAK
Цей пристрій являє собою N-канальний потужний МОП-транзистор із захищеним стабілітроном, розроблений з використанням технології SuperMESH™ від STMicroelectronics, досягнутої шляхом оптимізації добре запровадженого компонування PowerMESH™ на основі стрічки ST.На додаток до значного зниження опору увімкнення, цей пристрій розроблений для забезпечення високого рівня dv/dt можливостей для найвибагливіших застосувань.
• Призначений для застосування в автомобілях і відповідає стандарту AEC-Q101
• Надзвичайно висока здатність dv/dt
• 100% лавинний тест
• Заряд воріт мінімізований
• Дуже низька власна ємність
• Стабілітрон захищений
• Перемикання програми
