SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | Вішай |
| Категорія продукту: | MOSFET |
| RoHS: | Подробиці |
| Технологія: | Si |
| Стиль монтажу: | SMD/SMT |
| Пакет/чохол: | SOIC-8 |
| Полярність транзистора: | N-канал |
| Кількість каналів: | 2 канал |
| Vds - напруга пробою стіку-витоку: | 60 В |
| Id - постійний струм витоку: | 5.3 А |
| Rds On - Опір витік-витік: | 58 мОм |
| Vgs - напруга затвор-джерело: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід: | 1 В |
| Qg - Заряд воріт: | 13 нКл |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 С |
| Максимальна робоча температура: | + 150 С |
| Pd - Розсіювання потужності: | 3,1 Вт |
| Режим каналу: | Покращення |
| Торгова назва: | TrenchFET |
| Упаковка: | Котушка |
| Упаковка: | Відрізати стрічку |
| Упаковка: | MouseReel |
| Бренд: | Vishay Semiconductors |
| Конфігурація: | Подвійний |
| Осінній час: | 10 нс |
| Пряма провідність - Мін.: | 15 S |
| Тип продукту: | MOSFET |
| Час наростання: | 15 нс, 65 нс |
| Серія: | SI9 |
| Заводська упаковка Кількість: | 2500 |
| Підкатегорія: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 2 N-каналу |
| Типовий час затримки вимкнення: | 10 нс, 15 нс |
| Типовий час затримки ввімкнення: | 15 нс, 20 нс |
| Частина № Псевдоніми: | SI9945BDY-GE3 |
| Вага одиниці: | 750 мг |
• Силовий MOSFET TrenchFET®
• LCD телевізор CCFL інвертор
• Перемикач навантаження
