Модулі IGBT NVH820S75L4SPB, твердотільні накопичувачі 750 В, 820 А
♠ Опис продукту
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | онсемі |
| Категорія продукту: | IGBT модулі |
| Продукт: | Кремнієві модулі IGBT |
| Конфігурація: | 6-Pack |
| Напруга колектор-емітер VCEO Max: | 750 В |
| Напруга насичення колектор-емітер: | 1,3 В |
| Безперервний струм колектора при 25 C: | 600 А |
| Струм витоку затвор-емітер: | 500 мкА |
| Pd - Розсіювання потужності: | 1000 Вт |
| Пакет / Корпус: | 183AB |
| Мінімальна робоча температура: | - 40°C |
| Максимальна робоча температура: | +175°C |
| Упаковка: | Лоток |
| Бренд: | онсемі |
| Максимальна напруга затворного емітера: | 20 В |
| Стиль монтажу: | Поверхневий монтаж/поверхневий монтаж |
| Тип продукту: | IGBT модулі |
| Кількість у заводській упаковці: | 4 |
| Підкатегорія: | IGBT-транзистори |
| Технологія: | Si |
| Торгова назва: | VE-Trac |
| Вага одиниці: | 2,843 фунта |
♠ Автомобільний силовий модуль прямого охолодження VE-Trac NVH820S75L4SPB, 750 В, 820 А, 6-компонентний модуль живлення
NVH820S75L4SPB – це силовий модуль із сімейства високоінтегрованих силових модулів VE−Trac Direct зі стандартними галузевими розмірами для застосування в тягових інверторах гібридних (HEV) та електромобілях (EV).
Модуль об'єднує шість вузьких блендирних транзисторів Field Stop 4 (FS4) на 750 В з вузькою мережею (IGBT) у конфігурації з 6 елементів, яка забезпечує високу щільність струму, водночас пропонуючи надійний захист від короткого замикання та підвищену напругу блокування. Крім того, вузькі блендирні транзистори FS4 на 750 В з вузькою мережею демонструють низькі втрати потужності під час невеликих навантажень, що допомагає підвищити загальну ефективність системи в автомобільних системах.
Для зручності та надійності складання в сигнальні клеми модуля живлення інтегровано запресовані штифти нового покоління. Крім того, модуль живлення має оптимізований радіатор з ребрами в опорній пластині.
• Пряме охолодження з інтегрованим радіатором Pin-fin
• Надзвичайно низька індуктивність розсіювання
• Tvjmax = 175°C Безперервна робота
• Низькі втрати VCESAT та комутації
• Автомобільний клас FS4 750 В вузькозернистий IGBT
• Технології швидковідновлюваних діодних мікросхем
• Ізольована підкладка DBC 4,2 кВ
• Легко інтегрована 6-пакетна топологія
• Цей пристрій не містить свинцю та відповідає вимогам RoHS
• Інвертор тяги для гібридних та електричних транспортних засобів
• Перетворювачі високої потужності
