SAMSUNG планує потроїти свої потужності з виробництва мікросхем до 2027 року

Чон Кі-те, віцепрезидент з розвитку технологій підрозділу ливарного виробництва компанії, заявив, що цього року Samsung Electronics вперше у світі успішно випустила серійно 3-нанометровий чіп на основі технології GAA, який має на 45 відсотків нижче енергоспоживання, на 23 відсотки вищу продуктивність і на 16 відсотків меншу площу порівняно з 5-нанометровим чіпом.

Samsung Electronics також планує докласти всіх зусиль для розширення виробничих потужностей свого заводу з виробництва мікросхем, який прагне збільшити виробничі потужності більш ніж утричі до 2027 року. З цією метою виробник мікросхем дотримується стратегії «спочатку оболонка», яка передбачає спочатку будівництво чистого приміщення, а потім гнучку експлуатацію об'єкта в міру виникнення ринкового попиту.

Чой Сі-йонг, президент підрозділу ливарного виробництва Samsung Electronics, сказав: «Ми керуємо п’ятьма заводами в Кореї та Сполучених Штатах, і ми забезпечили ділянки для будівництва понад 10 заводів».

Видання IT House дізналося, що Samsung Electronics планує запустити 3-нанометровий техпроцес другого покоління у 2023 році, розпочати масове виробництво 2-нанометрових технологій у 2025 році та запустити 1,4-нанометровий техпроцес у 2027 році. Цей технологічний план Samsung вперше представила у Сан-Франциско 3 жовтня (за місцевим часом).