IKW50N65ES5XKSA1 IGBT транзистори ПРОМИСЛОВІСТЬ 14
♠ Опис товару
| Атрибут продукту | Значення атрибута |
| Виробник: | Infineon |
| Категорія продукту: | Транзистори IGBT |
| Технологія: | Si |
| Пакет / футляр: | ТО-247-3 |
| Стиль монтажу: | Крізь отвір |
| Конфігурація: | неодружений |
| Напруга колектор-емітер VCEO Макс.: | 650 В |
| Напруга насичення колектор-емітер: | 1,35 В |
| Максимальна напруга емітера затвора: | 20 В |
| Постійний струм колектора при 25 C: | 80 А |
| Pd - Розсіювання потужності: | 274 Вт |
| Мінімальна робоча температура: | - 40 С |
| Максимальна робоча температура: | + 175 С |
| Серія: | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Упаковка: | трубка |
| Бренд: | Технології Infineon |
| Струм витоку затвор-емітер: | 100 нА |
| Висота: | 20,7 мм |
| Довжина: | 15,87 мм |
| Тип продукту: | Транзистори IGBT |
| Заводська упаковка Кількість: | 240 |
| Підкатегорія: | IGBT |
| Торгова назва: | ТРАНШСТОП |
| Ширина: | 5,31 мм |
| Частина № Псевдоніми: | IKW50N65ES5 SP001319682 |
| Вага одиниці: | 0,213537 унції |
Пропозиція високошвидкісної технології S5
•Високошвидкісний пристрій плавного перемикання для жорсткого та м'якого перемикання
•Дуже низький VCEsat, 1,35 Вт номінального струму
• Plugandplay заміна IGBT попереднього покоління
•Напруга пробою 650В
•LowgatechargeQG
• IGBT разом зі швидкісним паралельним діодом RAPID1 з повним рейтингом
•Максимальна температура з'єднання 175°C
•Кваліфіковано згідно з JEDEC для цільових застосувань
•Покриття без вмісту свинцю;відповідає RoHS
• Повний спектр продуктів та моделі PSpice: http://www.infineon.com/igbt/
•Резонансні перетворювачі
•Джерела безперебійного живлення
•Зварювальні перетворювачі
•Перемувальні перетворювачі частоти середніх і високих діапазонів
