FDD4N60NZ MOSFET 2,5 A вихідний струм GateDrive Optocopler

Короткий опис:

Виробники: ON Semiconductor

Категорія продукту: Транзистори – FETs, MOSFETs – Single

Специфікація:FDD4N60NZ

Опис: MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Статус RoHS: відповідає RoHS

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

♠ Опис товару

Атрибут продукту	Значення атрибута
Виробник:	онсемі
Категорія продукту:	MOSFET
RoHS:	Подробиці
Технологія:	Si
Стиль монтажу:	SMD/SMT
Пакет / футляр:	ДПАК-3
Полярність транзистора:	N-канал
Кількість каналів:	1 канал
Vds - напруга пробою стіку-витоку:	600 В
Id - постійний струм витоку:	1,7 А
Rds On - Опір витік-витік:	1,9 Ом
Vgs - напруга затвор-джерело:	- 25 В, + 25 В
Vgs th - Порогова напруга затвор-вихід:	5 В
Qg - Заряд воріт:	8,3 нКл
Мінімальна робоча температура:	- 55 С
Максимальна робоча температура:	+ 150 С
Pd - Розсіювання потужності:	114 Вт
Режим каналу:	Покращення
Торгова назва:	UniFET
Упаковка:	Котушка
Упаковка:	Відрізати стрічку
Упаковка:	MouseReel
Бренд:	онсемі / Ферчайлд
Конфігурація:	неодружений
Осінній час:	12,8 нс
Пряма провідність - Мін.:	3.4 S
Висота:	2,39 мм
Довжина:	6,73 мм
продукт:	MOSFET
Тип продукту:	MOSFET
Час наростання:	15,1 нс
Серія:	FDD4N60NZ
Заводська упаковка Кількість:	2500
Підкатегорія:	MOSFET
Тип транзистора:	1 N-канал
Типовий час затримки вимкнення:	30,2 нс
Типовий час затримки ввімкнення:	12,7 нс
Ширина:	6,22 мм
Вага одиниці:	0,011640 унцій